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該項(xiàng)目聚焦第三代半導(dǎo)體IGBT封裝用高性能覆銅氮化鋁陶瓷基板及活性釬料的國(guó)產(chǎn)化攻關(guān)，突破了高純活性釬料的成分創(chuàng)新與多形態(tài)可控制備、陶瓷/銅異質(zhì)連接殘余應(yīng)力調(diào)控、多場(chǎng)耦合服役性能預(yù)測(cè)與評(píng)價(jià)等關(guān)鍵技術(shù)，成功開(kāi)發(fā)出多形態(tài)活性釬料與高可靠性覆銅陶瓷板。項(xiàng)目打破國(guó)外技術(shù)壟斷，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平，已授權(quán)發(fā)明專利7件，并獲得“國(guó)內(nèi)首批次新材料”認(rèn)定，實(shí)現(xiàn)向比亞迪、羅杰斯等行業(yè)龍頭企業(yè)配套，有效支撐了我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

現(xiàn)代能源、交通、信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，要求“血脈”材料-銅不僅具備高的導(dǎo)電導(dǎo)熱能力，還同時(shí)要求高強(qiáng)度的特性。本項(xiàng)目針對(duì)以上需求，提出二維材料強(qiáng)化銅基體的設(shè)計(jì)理念,通過(guò)高載流子密度銅與高遷移率二維石墨烯界面?zhèn)鬏攨f(xié)同,突破銅本征導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，同時(shí)石墨烯具有極佳的力學(xué)性能，能有效提升銅的強(qiáng)度。項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的特種銅基復(fù)合材料導(dǎo)電率達(dá)106%IACS，熱導(dǎo)率超過(guò)430W/(m·K)，強(qiáng)度相比純銅提高50%以上，可應(yīng)用于新能源大電流電纜、算力用中心用散熱器以及各種大功率開(kāi)關(guān)電器中。